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抗辐射NAND闪存问世!机构:存储扩产提速,上游产业链迎机遇
时间:2026-05-22 14:47 阅读:
美国佐治亚理工学院科学家研制出一款新型NAND闪存。它既能高效处理人工智能任务,又能承受太空中的极端辐射,其抗辐射能力达到传统NAND闪存的30倍。
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美国佐治亚理工学院科学家研制出一款新型NAND闪存。它既能高效处理人工智能任务,又能承受太空中的极端辐射,其抗辐射能力达到传统NAND闪存的30倍。
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