从事高端半导体专用设备研发生产 拓荆科技今日科创板IPO申购

　　的研发、生产、销售和技术服务，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列。公司目前是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SA主要产品PECVD、ALD及SA、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主要集成电路晶圆厂产线，并在不同种类芯片制造产线的多道工艺中得到商业化应用，累计发货超150套机台，产品技术参数达到了国际同类设备水平。

　　核心技术是竞争的根本。拓荆科技作为高新技术企业，一直立足于自主创新，先后承担了“90-65nm等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”“1x nm 3D NAND PECVD 研发及产业化”等多项国家重大科技专项课题，在薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，并达到先进水平。

　　其中，公司先进的薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术等核心技术，不仅解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，还在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升了客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。

　　目前，拓荆科技业已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备，可满足下游客户晶圆制造产线多种薄膜沉积工艺需求，一举打破了薄膜沉积设备长时间被由AMAT、ASM、泛林半导体(Lam)、东京电子(TEL)等国际巨头垄断局面。

　　数据显示，截至2022年3月8日，拓荆科技累计授权专利174项。为进一步提高技术先进性，公司拟借资本助力，募集资金逾10亿元，用于高端半导体设备扩产、先进半导体设备的技术研发与改进，以及ALD设备研发与产业化等项目。

　　按照公司未来发展规划，持续加强研发技术投入将是拓荆科技的发展重点之一。据悉，公司将开展配适10nm以下制程的PECVD产品研发；开发Thermal ALD和大腔室PE ALD；同时升级SA，研发12英寸满足28nm以下制程工艺需要的SACVD设备。(陈志强)