上海科研团队研制出超高速闪存，眨眼间能完成10亿次存储

　　集成芯片与系统全国重点实验室周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型在理论上，预测了超注入现象打破了现有存储速度的理论极限研制“破晓”皮秒闪存器件。其擦写速度可提升至亚1纳秒。400皮秒相当于每秒可执行25亿次操作，是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术。相关成果以为题于北京时间4月16日晚间在期刊上发表。