安世半导体发布晶圆级12和30V MOSFET

　　公司近日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS特性，在空间受限和续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。