分析师：DRAM内存、3DNAND闪存布局百家争鸣，长鑫、长

　　7月5日，知名半导体分析机构TechInsights举办了线上“存储半导体进展与融合挑战：DRAM和NAND”研讨会。

　　在存储芯片领域有着30多年从业经历的高级技术分析师JeongdongChoe博士在会上分享了DRAM和NAND前沿技术的发展以及未来可能遭遇的挑战。

　　日前，三星在128层单堆栈产品的容量上不断实现突破。对此，JeongdongChoe在研讨会上表示，目前全球主要玩家在3DNAND设计上都有不同程度的创新，比如三星的COP架构，SK海力士的PUC架构，美光的CuA架构等等。

　　三星128层单堆栈3DNAND的核心竞争力在于单堆栈，不同于英特尔等竞争对手的多deck集成，可以在深宽比和deck与deck的对齐问题上做到最大限度的优化，在量产3DNAND闪存产品中实现了世界上最小的单元间距，显示了单堆栈技术仍有巨大的发展潜力。

　　DRAM市场的几大参与者包括了三星、美光、SK海力士，另外再加上南亚科技、力积电和长鑫存储等。

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　　三星、美光与SK海力士面向DDR4、DDR5和LPDDR5应用，已经以15nm和14nm级别的单元设计规则发布了D1z和D1α节点的产品。

　　美光和SK海力士在D1z节点上还在用基于ArF-i的双重曝光，虽说部分分析师评价三星提前在这一领域布局EUV技术是过于激进的。这张图同时也给出了2024年之后的一些DRAM工艺节点，包括D1d、D0a、D0b等。

　　除DRAM外，NAND技术也正在迎来快速发展。

　　当前进展为三星176层、铠侠/西数162层、美光176层、SK海力士176层，还有长江存储的128层XtackingTLC和QLC产品；另外宏旺也宣布了48层的3DNAND原型产品，预计今年晚些时间或2023年进入规模量产。

　　主要的一些创新型技术和设计，比如3层deck结构，CuA、COP、PUC结构技术，以及采用H-bonding键合的Xtackingdie。其他创新技术热点还有诸如三星Z-NAND、铠侠XL-NAND这类低延迟高速NAND产品，也已经商用。

　　新型存储器方面，STT-MRAM当前的发展很不错，参与这项技术研发的企业和机构囊括了Everspin、GlobalFoundries、Avalanche、索尼、美光、Imec、CEA-LETI、美国应用材料、三星、富士通、IBM、台积电、SpinTransferTechnologies等。