连续三日罢工! 三星电子迎接史上最大规模罢工 存储芯片涨价浪潮

　　全球存储芯片巨头三星电子的工会员工们周一开始为期三天的罢工，纷纷要求三星提高工资待遇，他们所在的工会表示，如果薪资要求得不到满足，将对这家韩国最大规模的企业集团采取进一步行动。据了解，这也是三星电子成立55年以来规模最大的罢工行动，三星电子乃全球存储芯片市场份额最高的领导者，此次罢工可能对全球存储芯片供应造成一定程度影响，自今年以来的这波DRAM与NAND存储芯片涨价浪潮可能停不下来。

　　他告诉媒体，这个五年前成立的新工会没有足够的时间来教育普通工会成员。

　　“对工会成员和雇员们的工会教育还不够。但我不认为参与率低，因为我们的工会与其他工会相比还很年轻。”

　　工会高级领导人Lee Hyun-kuk上周曾表示，如果这次的要求得不到满足，可能还会出现新一轮大规模罢工。这位高级领导人表示，三星方面的提议包括提高薪资和年假条件方面的灵活性，但并未满足工会增加薪资和更多休假的要求。

　　此外，工会官员们坚称三星电子的奖金制度非常不公平，因为它是通过从营业利润中扣除资本成本来进行测算，而高管们的奖金则基于个人绩效目标。。

　　自从这家韩国科技巨头在2020年承诺不再阻碍有组织劳工的发展以来，三星工会的成员人数大幅增加。

　　有分析师表示，这一增长表明员工忠诚度下降，这是三星在人工智能应用芯片竞争中面临的除HBM认证资质以外的另一个难题。

　　“我告诉人们，我为在三星电子工作而感到自豪，但事实并非如此，”20 岁的Park Jun-ha接受时说道。他是三星芯片先进封装线的一名重要工程师，于今年 1 月加入该公司。他还表示，自己对三星“不透明”的奖金计划感到不满。

　　AI热潮刺激存储需求激增，三星电子Q2利润料迎来爆炸式增长

　　上周五，三星电子预计第二季度营业利润将增长逾15倍，因为人工智能热潮推动HBM存储系统，以及更广泛的DRAM和NAND存储价格大幅反弹，提振了一年前较低的比较基数。尽管如此，其股价表现，以及HBM认证进度仍远远落后于同类型芯片的竞争对手SK海力士。

　　三星电子公布了多年来最快的销售和利润增长速度，反映出随着全球人工智能发展加速，存储芯片需求呈现激增态势。在全球企业纷纷斥巨资布局AI的这股狂热浪潮中，存储需求可谓迈入迅猛增长阶段。

　　这家全球最大规模存储芯片以及智能手机制造商上周五公布，截至6月30日的第二季度初步统计业绩显示，营业利润增长逾15倍，至10.4万亿韩元，大幅超出市场预期。销售额增长约23%，是自2021年新冠疫情以来的最大增幅。三星电子将于7月31日公布包括各部门详细数据在内的最终业绩。

　　随着人工智能技术发展迭代，全球企业对存储芯片需求激增。SK海力士已成为英伟达核心的HBM供应商，三星也在力争加入这一行列。

　　在当前存储领域最为火热的HBM市场方面，截至2022年，三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星电子约40%、美光约10%，由于SK海力士在HBM领域最早发力，早在2016年已涉足这一领域，因此占据着绝大多数市场份额。有业内人士表示，2023年SK海力士HBM市场份额分布将在55%左右，位列绝对主导地位。

　　三星电子在存储芯片领域堪称最核心地位

　　韩国是世界上最大规模两家存储芯片生产商——SK海力士与三星的所在地，其中，全球HBM霸主SK海力士已经成为英伟达最核心的HBM供应商，英伟达H100 AI GPU所搭载的正是SK海力士生产的HBM存储系统。此外，英伟达H200 AI GPU以及最新款基于Blackwell架构的B200/GB200 AI GPU的HBM也将搭载SK海力士所生产的最新一代HBM存储系统——HBM3E，另一大HBM3E供应商则是来自美国的存储巨头美光，美光HBM3E大概率将搭载英伟达H200以及最新推出的性能无比强劲的B200/GB200 AI GPU。

　　另一大来自韩国的存储巨头三星，则是全球最大规模的DRAM与NAND存储芯片供应商，并且近期也在力争成为英伟达HBM以及更新一代的HBM3E供应商之一。三星在DRAM主流应用之一的DDR系列存储芯片领域 以及NAND存储主流应用之一的SSD，市场份额遥遥领先于其他存储芯片制造商。不同于HBM大规模应用于AI数据中心，DDR系列存储主要用于PC系统的主存储器，提供足够的内存容量和带宽，支持多任务处理和消费电子端数据集的处理，LPDDR系列则应用于智能手机端。

　　从上图能够看出，韩国企业在存储市场占据主导地位，三星电子和SK海力士占据全球存储芯片市场绝大多数份额，其中三星电子占比甚至接近50%。

　　自从2023年以来席卷全球企业的AI热潮已带动AI服务器需求激增，戴尔科技以及超微电脑等全球顶级数据中心服务器制造商在其AI服务器中通常使用三星与美光DDR系列产品，以及NAND存储主流应用之一的三星/美光SSD则大量用于计算系统的服务器主存储体系，而SK海力士HBM存储系统则与英伟达AI GPU全面绑定在一起使用。

　　DRAM主要用于计算系统的主存储器，为CPU和GPU提供临时数据存储和中间计算结果，以及数据加载和预处理。虽然NAND存储的读写速度不如整个DRAM以及归属于DRAM细分领域的HBM，但其容量大、成本低，是长时间存储数据的理想选择，在生成式AI计算系统中，NAND通常用于保存规模庞大的训练/推理数据集和已训练模型，当需要进行训练或再推理负载时，将数据极速加载到DRAM或HBM中进行处理。这也是HBM存储系统，以及整个DRAM与NAND存储需求激增的重要逻辑。

　　随着全球存储芯片持续复苏，主流存储芯片厂商已经率先开启了涨价模式，TrendForce集邦咨询最新调查显示，第二季度整个DRAM合约价格环比涨幅高达13%-18%。有业内人士表示，从2023年年底开始，全球半导体存储产业逐步进入上行周期，今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。服务器制造商戴尔近日预计DRAM和SSD价格将在下半年上涨15%至20%。

　　此外，受AI数据中心对大容量NAND需求的推动，以及苹果Apple Intelligence所引领的端侧AI大模型融入消费电子端的热潮，也有望推动DRAM与NAND需求迈入激增阶段，近期三星电子和SK海力士已将NAND工厂的开工率由去年的20-30%升至70%以上。